Наконец-то свершилось: MOSFET-транзисторы STMicroelectronics со скидкой
  • 25 Окт 2017
  • 0
  • 70

Наконец-то свершилось: MOSFET-транзисторы STMicroelectronics со скидкой

Разработки в сфере современной полупроводниковой силовой электроники не стоят на месте и так же как цифровые микросхемы и микроконтроллеры развиваются. В своем развитии силовые электронные устройства требуют возможности реализации более мощных устройств в меньших габаритах. MOSFET-транзисторы одни из важных компонентов, преобразующих энергию в изделиях силовой электроники, поэтому к ним предъявляются требования по низким потерям на переключение, высоким скоростям переключения, эффективному рассеянию излишнего тепла. STMicroelectronics мировой лидер в производстве MOSFET-транзисторов постоянно стремится совершенствоваться в технологиях производства. Линейка транзисторов этого производителя представлена p- и n-канальными транзисторами на высокие рабочие напряжения до значения 1500В с низкими значениями затворной емкости и сопротивления канала в открытом состоянии. Корпуса представлены широким рядом.

Последние передовые технологии MOSFET-транзисторов от компании STMicroelectronics:  

Технология MDmesh 

Транзисторы, выполненные в соответствии с технологией MDmesh (Multiple Drain mesh) основаны на большом количестве вертикальных Р структур стока. За счет этого обеспечивается низкое значение сопротивления открытого канала сток-исток и высокий показатель скорости переключения. Данные преимущества дают возможность широкого применения транзисторов в импульсных источниках питания малой и средней мощности, где канал с низким сопротивлением и высокими динамическими характеристиками помогают увеличить эффективность работы источника питания и при этом уменьшить размер теплоотвода и соответственно уменьшить конструкцию в целом.

Характеристики транзисторов выполненных по технологии MDmesh - серия M5:

  • Рабочее напряжение: 600 -650 В
  • Рабочий ток: 8,5 - 69 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,07 - 0,198 Ом

Технология Zener-protected SuperMESH™

Технология SuperMESH™ достигнута улучшением и оптимизацией технологии PowerMESH™ основанная на полосковом расположении, кроме улучшенного значения сопротивления канала устройства выполненные по технологии SuperMESH™ обладают высоким значением dv/dt.

Во многих приложениях силовой электроники, таких как сварочные инверторы, системы индукционного нагрева необходимо защищать затвор транзистора от статических разрядов и выбросов напряжения. Для защиты применяют защитные стабилитроны, подключаемые между затвором и «землей» и затвором, и шиной питания. Специально для таких приложений компания STMicroelectronics выпустила серию высоковольтных транзисторов со встроенными защитными элементами. Такие транзисторы полностью защищены от статических разрядов и выбросов напряжения в цепи затвора, которые могут являться следствием переходных процессов. 

Характеристики транзисторов выполненных по технологии Zener-protected SuperMESH™-  серия Z :

  • Рабочее напряжение: 400 -1000 В
  • Рабочий ток: 4,4 - 10,5 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,65 - 6,25 Ом

Технология STripFET2

Для построения высокоэффективных, высокочастотных синхронных понижающих DC/DC преобразователей востребованы низковольтные транзисторы с очень низким зарядом затвора. Применяются такие преобразователи в мобильных устройствах, телекоммуникационном оборудовании, материнских платах промышленных компьютеров. Специально для таких применений компания STMicroelectronics выпустила серию транзисторов STripFET2. В отличие от похожей технологии Trench, применяемую такими производителями как INF и IRF технология STripFET2 позволяет получить транзисторы с лучшим соотношением малого заряда затвора и низкого сопротивления канала.

Характеристики транзисторов выполненных по технологии STripFET2 - серия NF:

  • Рабочее напряжение: 30 -200 В
  • Рабочий ток: 15 - 120 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,0032 - 0,115 Ом

СПЕЦИАЛЬНОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ

Тоаары в наличии со скидкой!

СМОТРЕТЬ
ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ
Поиск электронных компонентов ChipFind - поисковая система по электронным компонентам © Все права защищены