Новое поступление продукции Galaxy
  • 30 Май 2017
  • 0
  • 44

Новое поступление продукции Galaxy

Galaxy Semiconductor Co., Ltd. - компания, расположенная в Китае в округе Чанжоу и имеющая более чем 30-летний опыт производства полупроводниковых компонентов. Galaxy осуществляет изготовление кристаллов, корпусирование, тестирование и упаковку, что позволяет выпускать не только стандартные компоненты, но и по требованиям заказчика. Производственные площади компании занимают около 45000 кв.м., емкость производства - до 12 млрд. устройств в год. В 2002 году производство компании было сертифицировано по стандарту ISO9001-2000, а в 2007 - по стандарту TS16949.   Среди новых поступлений продукции Galaxy - диоды Шоттки различных типов.  

Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества - сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе - лучшими частотными свойствами. Однако ничто нигде не дается бесплатно. Здесь за улучшение одних свойств приходится платить изменением других характеристик. Чем больше таких зависимостей, тем больше оказывается необходимость осознанного выбора элемента под конкретное применение. Не являются исключением из этого правила и диоды Шоттки.   В конструкции обычных диодов всего три особенности, и они мало влияют друг на друга - площадь p-n перехода, уровень легирования (удельное сопротивление) высокоомной области и время жизни неосновных носителей. Прямое падение напряжения в установившемся режиме при заданном токе зависит, в основном, от температуры и площади p-n перехода, и то очень слабо: от площади - по логарифмическому закону (минус ~20 мВ на удвоение площади/снижение тока вдвое), от температуры - в пределах +1…-2 мВ на градус. Удельное сопротивление материала высокоомной области у обычных диодов, благодаря эффекту модуляции проводимости, почти не влияет на прямое падение напряжения. Время жизни неосновных носителей определяет время обратного восстановления диода (и косвенно - его ток утечки).   Для диодов Шоттки время жизни неосновных носителей не имеет прямого влияния на характеристики диода в рабочих режимах, но зато добавляется две других особенности конструкции. Это выбор величины потенциального барьера (то есть, фактически, порогового напряжения - и тока утечки) и необходимость обеспечения защиты от перенапряжений (незащищенный переход Шоттки, в отличие от обычного p-n перехода, практически всегда необратимо выходит из строя при пробое обратным напряжением). Именно поэтому внутри подавляющего большинства диодов Шоттки есть еще и параллельно включенный обычный кремниевый p-n переход. Кроме того, у диодов Шоттки есть сильная связь между удельным сопротивлением высокоомной области и прямым падением напряжения при больших токах (из-за отсутствия механизма модуляции проводимости). Отсутствие же эффекта модуляции проводимости уменьшает устойчивость диодов к ударному току, что вынуждает увеличивать площадь перехода (снижать плотность тока). Из-за этого емкость диодов Шоттки, отнесенная к единице номинального тока, как правило, выше, чем у обычных диодов.    Наглядный пример - UF4007 имеют емкость около 10…20 пФ, 1N5817 - около 50…70 пФ (при обратном напряжении 5 В). По той причине диоды Шоттки изготавливают с более частым рядом по величине допустимого обратного напряжения - чтобы не вводить излишний запас, увеличивающий прямое сопротивление диодов. Даже из этого упрощенного описания видно, что в конструкции диодов Шоттки намного больше вариантов для выбора компромиссов, чем в "обычных" диодах. Именно поэтому разнообразие типов диодов Шоттки столь велико. И для осмысленного выбора лучших (для требуемого применения) вариантов нужно учитывать большее число параметров, чем при выборе "обычных" диодов.    При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения: Относительно низкочастотную коммутацию (суммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки Применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.   Диоды, оптимизированные для первой группы применений - это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения.    Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки - их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник).    Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки - попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов.  Во-первых, это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход. Это проявляется появлением накопления заряда выключения, что может вызывать большие импульсные токи/напряжения. Во-вторых, нужно помнить, что нагрев диодов Шоттки почти не влияет на прямое падение напряжения при больших токах, но вызывает резкий рост токов утечек. Последнее опасно проявлением эффекта саморазогрева обратными токами. Увеличение размера радиатора, необходимое для предотвращения этого риска, часто в итоге обходится дороже, чем использование диодов на больший ток, имеющих меньшие статические потери.

Новое поступление продукции производства Galaxy Semiconductor Co., Ltd. :

  Наименование   Примечание Корпус Производитель Оптовая цена, руб. Розн. цена, руб. Всего Розн. маг. Краткое описание
1.5KE100A 1500W 100V однонапр. > DO-201 Galaxy 9.90 руб. 18.00 руб. 1254 4 Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=100В однонаправленный
1.5KE24A 1500W 24V однонапр. DO-201 Galaxy 9.90 руб. 18.00 руб. 1269 19 Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=24В однонаправленный
1A7 Диод 1000V 1A R-1 Galaxy 0.55 руб. 1.60 руб. 29980 - Диод 1000В/ 1A
1N4007   DO-41 Galaxy 0.55 руб. 1.60 руб. 241089 4972 Диод 1000В 1А Vf=1.1B
1N4937 Диод 600V 1A 150ns Fast DO-41 Galaxy 0.59 руб. 1.35 руб. 28527 555 Диод 600В/ 1А/150нс Fast Recovery
1N5408 Диод 1000V 3A DO-201 Galaxy 1.98 руб. 4.50 руб. 8957 - Диод 1000В/ 3A
1N5817 Шоттки 20V 1A 0.6V DO-41 Galaxy 0.97 руб. 2.80 руб. 14498 298 Диод Шоттки 20V 1A 0.6V
B2S Мост 0.5A, 200V MBS Galaxy 4.03 руб. 6.05 руб. 4096 83 Мост 0.5A, 200V
B8S Мост 0.5А, 800V MBS Galaxy 3.90 руб. 5.85 руб. 32799 105 Мост 0.5А, 800V
BAS16   SOT-23 Galaxy 0.82 руб. 2.37 руб. 14454 340 Диод 100В/ 215мА
BAS70-05 Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод SOT-23 Galaxy 0.93 руб. 2.68 руб. 8507 198 Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод
BAT54S Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед. SOT-23 Galaxy 1.00 руб. 2.87 руб. 17895 1052 Диод Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
BAV199 Диод х2 0.2A 70V послед SOT-23 Galaxy 0.95 руб. 3.38 руб. 49785 85 Диод х2 70В/200мА последовательно
BAV99 Диод х2 0.215A 75V послед. SOT-23 Galaxy 0.85 руб. 3.01 руб. 96183 2948 Диод х2 75В/215мА последовательно
BAW56 Диод х2 0.2A 70V общий анод SOT-23 Galaxy 0.81 руб. 2.89 руб. 19989 2196 Диод х2 70В/200 мА общий анод
BZX55C10 Стаб 0.5W 10V DO-35 Galaxy 0.81 руб. 2.35 руб. 6872 281 Стабилитрон Р=0.5Вт U=10В
BZX55C12 Стаб 0.5W 12V DO-35 Galaxy 0.81 руб. 2.35 руб. 4871 521 Стабилитрон Р=0.5Вт U=12В
BZX55C18 Стаб 0.5W 18V DO-35 Galaxy 0.92 руб. 2.64 руб. 2907 487 Стабилитрон Р=0.5Вт U=18В
BZX55C20 Стаб 0.5W 20V DO-35 Galaxy 0.82 руб. 2.36 руб. 9950 300 Стабилитрон Р=0.5Вт U=20В
BZX55C3V3 Стаб 0.5W 3.3V DO-35 Galaxy 0.81 руб. 2.35 руб. 4678 178 Стабилитрон Р=0.5Вт U=3.3В
BZX55C3V9 Стаб 0.5W 3.9V DO-35 Galaxy 0.81 руб. 2.35 руб. 5352 136 Стабилитрон Р=0.5Вт U=3.9В
BZX55C4V7 Стаб 0.5W 4.7V DO-35 Galaxy 0.81 руб. 2.35 руб. 5009 554 Стабилитрон Р=0.5Вт U=4.7В
BZX55C8V2 Стаб 0.5W 8.2V DO-35 Galaxy 1.48 руб. 3.36 руб. 9998 198 Стабилитрон Р=0.5Вт U=8.2В
BZX55C9V1 Стаб 0.5W 9.1V DO-35 Galaxy 0.81 руб. 2.35 руб. 6617 488 Стабилитрон Р=0.5Вт U=9.1В
BZX84C10 Стаб 0.3W 10V SOT-23 Galaxy 0.91 руб. 2.62 руб. 8012 352 Стабилитрон Р=0.3Вт U=10В
BZX84C24 Стаб 0.3W 24V SOT-23 Galaxy 0.95 руб. 2.75 руб. 4640 190 Стабилитрон Р=0.3Вт U=24В
BZX84C2V4 Стаб 0.3W 2.4V SOT-23 Galaxy 0.92 руб. 2.65 руб. 495 95 Стабилитрон Р=0.3Вт U=2.4В
BZX84C2V7 Стаб 0.3W 2.7V SOT-23 Galaxy 0.92 руб. 2.65 руб. 2902 118 Стабилитрон Р=0.3Вт U=2.7В
FR207 Диод 1000V 2A 500ns Fast DO-15 Galaxy 1.08 руб. 2.46 руб. 9457 498 Диод 1000В/ 2А/500нс Fast Recovery
GS1M   DO-214AC (HSMA) Galaxy 1.02 руб. 2.95 руб. 19600 - Диод 1000В/ 1А
HER308 Диод 1000V 3A 75ns высоко-эффективн. DO-201 Galaxy 3.86 руб. 7.02 руб. 9400 308 Диод 1000В/ 3А/ 75нс High Efficiency
KBPC1008 Мост 10A 800V KBPC-8 Galaxy 19.98 руб. 25.97 руб. 317 20 Мост 10A 800V
KBPC1510 Мост 15A,1000V KBPC Galaxy 48.19 руб. 62.65 руб. 733 48 Мост 15A,1000V
KBPC2510W Мост 25A,1000V KBPC-W Galaxy 53.72 руб. 69.83 руб. 100 - Мост 25A,1000V проволочные выводы
KBPC3510W Мост 35A,1000V KBPC-W Galaxy 51.78 руб. 67.32 руб. 491 - Мост 35A,1000V проволочные выводы
MBR10150CT Шоттки х2 150V 2x5A 0.85V общ. катод TO-220 Galaxy 13.17 руб. 20.35 руб. 123 23 Диод Шоттки x2 150V 2x5A 0.85V общ. катод
MBR15100CT Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод TO-220 Galaxy 18.10 руб. 27.97 руб. 100 - Диод Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод
MBR2060CT Шоттки х2 60V 2x10A 0.8V общ. катод TO-220 Galaxy 19.51 руб. 30.15 руб. 99 3 Диод Шоттки х2 60V 2x10A 0.8V общ. катод
MBRX160 Шоттки 60V 1А 0.72V SOD123FL Galaxy 1.98 руб. 4.50 руб. 1421 54 Диод Шоттки 60V 1А 0.72V
MMBTA92   SOT-23 Galaxy 1.08 руб. 2.46 руб. 6210 83 PNP 300V 0.5 A 0.25W
MURS360 Диод 600V 3A 35ns UltraFast SMC Galaxy 4.73 руб. 7.89 руб. 9106 135 Диод 600В/ 3А/35нс Ultrafast
S1M Диод 1000V 1A SMA Galaxy 1.05 руб. 2.39 руб. 50739 672 Диод 1000В/ 1А
SF18 Диод 600V 1A 35ns SuperFast DO-41 Galaxy 1.97 руб. 4.47 руб. 3990 200 Диод 600В/ 1А/ 35нс Super Fast
SF36 Диод 400V 3А 35нс SuperFast DO-201AD Galaxy 3.41 руб. 5.68 руб. 10000 200 Диод 400В/ 3А/ 35нс Super Fast
SF56 Диод 400V 5А 35нс SuperFast DO-201AD / DO-27 Galaxy 6.76 руб. 12.28 руб. 3848 98 Диод 400В/ 5А/ 35нс Super Fast
SR8100 Шоттки 100V 8А 0.85V TO-220AC Galaxy 14.42 руб. 22.29 руб. 118 26 Диод Шоттки 100V 8А 0.85V
SS24 Шоттки 40V 2А 0.5V SMB Galaxy 3.16 руб. 7.19 руб. 3032 26 Диод Шоттки 40V 2А 0.5V
SS26 Шоттки 60V 2А 0.63V SMB Galaxy 3.33 руб. 6.05 руб. 3032 142 Диод Шоттки 60V 2А 0.63V
SS36 Шоттки 60V 3А 0.7V SMC Galaxy 5.56 руб. 10.11 руб. 2988 - Диод Шоттки 60V 3А 0.7V
UF4007 Диод 1000V 1A UltraFast DO-41 Galaxy 1.06 руб. 1.97 руб. 15611 213 Ultra Fast Diode 1000V 1A
US1G Диод 400V 1A 50ns UltraFast SMA Galaxy 2.47 руб. 6.73 руб. 33949 328 Диод 400В/ 1А/ 50 нс
ZMM5235B (ZMM55C-6V8) Стаб 0.5W 6.8V SOD-80/MiniMelf Galaxy 1.23 руб. 2.80 руб. 3675 55 Стабилитрон Р=0.5Вт U=6.8В
ZMM5252B (ZMM55C-24V) Стаб 0.5W 24V SOD-80/MiniMelf Galaxy 1.24 руб. 2.82 руб. 5001 201 Стабилитрон Р=0.5Вт U= 24В

СПЕЦИАЛЬНОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ

Тоаары в наличии со скидкой!

СМОТРЕТЬ
ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ
© Copyright 2019